【摘 要】
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通过对引出的平行离子束流外加可控磁场,可以实现离子束流偏转。该方法实现IV型凹面光栅沿曲面不同闪耀角离子束刻蚀,能够获得高衍射效率的IV型凹面光栅。经过理论设计计算出
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【基金项目】
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“863”重大项目(2010AA1221091001);国家重大科研装备开发专项(2011YQ120023);国家重大科研装备研制项目(ZBYZ2008-1);中国科学院重大科研装备研制项目(YZ201005);吉林省科技发展计划项目(20070523;20086013)
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通过对引出的平行离子束流外加可控磁场,可以实现离子束流偏转。该方法实现IV型凹面光栅沿曲面不同闪耀角离子束刻蚀,能够获得高衍射效率的IV型凹面光栅。经过理论设计计算出理想的IV型凹面光栅闪耀角,利用全息曝光-弯转离子束刻蚀工艺制作出尺寸45mm×40mm,波长250nm处衍射效率达67%,入臂200mm,出臂188mm,曲率半径224mm的IV型凹面光栅。同时,利用平行离子束流制作了相同参数的IV型凹面光栅,其250nm处的衍射效率为30%。实验结果表明,利用弯转离子束流制作IV型凹面光栅的方法简单易行,并能够精确控制离子束流实现高衍射效率的IV型凹面光栅制作。
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