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日前，德州仪器（TI）宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的4A/8A与4A/4A单通道低侧栅极驱动哭，其可最大限度减少MOSFET、IGBT电源器件以及诸如氮化镓（GaN）器件等宽带隙半导体的开关损耗。
Ti推出面向高密度开关电源设计的高速单通道栅极驱动器
【摘 要】
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日前，德州仪器（TI）宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的4A/8A与4A/4A单通道低侧栅极驱动哭，其可最大限度减少MOSFET、IGBT电源器件以及诸如氮化镓（GaN）器件等宽带隙半导
【出 处】
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电源技术应用
【发表日期】
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2012年5期
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