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研究了增强吸杂技术，它利用淀积在硅片背面的多晶硅的晶格无序和晶粒间界而起杂质吸除作用，同时它又能增强硅中的内吸杂。本文介绍利用ＰＬＣＶＤ淀积多晶硅制备吸杂硅片的工艺。并通过ＯＳ法，ＭＯＳ产生寿命和二次离子质谱的测试结果，显示了此增强吸杂的吸杂效果。
增强吸杂的研究
【摘 要】
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研究了增强吸杂技术，它利用淀积在硅片背面的多晶硅的晶格无序和晶粒间界而起杂质吸除作用，同时它又能增强硅中的内吸杂。本文介绍利用ＰＬＣＶＤ淀积多晶硅制备吸杂硅片的工艺。并通过ＯＳ法
【机 构】
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复旦大学材料科学研究所,上海硅材料厂
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1995年3期
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