【摘 要】
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采用阳极氧化法制备了Al2O3绝缘材料,并制备了以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件（OTFT）。Al2O3绝缘层经过10 min 350℃氢热处理后,OTFT迁移率比未经氢热处理的增大近20倍,
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采用阳极氧化法制备了Al2O3绝缘材料,并制备了以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件（OTFT）。Al2O3绝缘层经过10 min 350℃氢热处理后,OTFT迁移率比未经氢热处理的增大近20倍,且阈值电压降到了-7 V。Al2O3膜MIS结构电容—电压（C–V）特性的平带电压平移量数据表明,Al2O3膜经过热处理后,并五苯半导体与Al2O3绝缘体界面处以及绝缘体内缺陷态密度显著地降低,Al2O3绝缘层和并五苯半导体层之间的接触得到改善,这使得经热处理Al2O3膜的OTFT器件性能得到显著的改善。
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