【摘 要】
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有机场效应晶体管(organic field-effect transistor,OFET)因为其柔性和低成本制造的优势而获得关注.为进一步拓展OFET应用,进行OFET为基础的电路设计,对OFET器件的电学性能建模变得重要.本文引入EKV模型对OFET器件的电学性能进行精确的建模,实现了从耗尽区到饱和区的完整栅压范围电学特性描述,相对于传统模型更加准确.
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有机场效应晶体管(organic field-effect transistor,OFET)因为其柔性和低成本制造的优势而获得关注.为进一步拓展OFET应用,进行OFET为基础的电路设计,对OFET器件的电学性能建模变得重要.本文引入EKV模型对OFET器件的电学性能进行精确的建模,实现了从耗尽区到饱和区的完整栅压范围电学特性描述,相对于传统模型更加准确.
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