Co掺杂对BST薄膜介电性能的影响

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bjw72
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了掺Co的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Co的掺杂量x(Co)对BST薄膜的晶相结构和电学性能的影响.结果表明:随着x(Co)的增加,BST薄膜的介电常数εr,介质损耗tgδ和漏电流密度JL均降低;当x(Co)为5%时,BST薄膜的εr、tgδ、JL、可调性和品质因子分别为:228.3、0.013、3.69×10-7 A/cm2、15.4%、12.03.
其他文献
从长期受到有机磷污染的土壤里分离一株高效降解有机磷的假单胞菌MET75(pseudomonas.MET75).将MET75菌悬液(OD600 nm=1.0)以2%的接种量加入含有乐果的无机盐培养基中,摇瓶培养1
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’#陈川个美食 Back to yield
介绍了铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳的研制.用磷酸铝溶液、聚乙二醇、蒸馏水、糊精和淀粉配制碳化硅浆料的粘结剂,采用双向模压法制备带金属镶嵌件的近净成型的碳化硅预
采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔
通过控制反应速度,以氨催化水解醇介质中的正硅酸乙酯(TEOS)制备得到了400±20 nm的单分散二氧化硅超细颗粒.反应首先在低浓度TEOS下形成并完善晶核,再在高浓度下促使晶
有的人虽生犹死.有的人虽死犹生。那些终生孜孜于自我完善、追求真理、探索人类命运的圣贤.便能突破时空间的局限.死而不朽.犹如永恒的光芒.照耀着人类。被誉为“千年第一思想家”
随着中国改革开放步伐的不断加快,对外文化交流也越来越频繁,这其中的重要表现之一就是文学作品对外译介的品种和数量的不断增加。富有民族性武侠小说包含大量的文化负载词。但
咳嗽变异性哮喘(cough variant asthma,CVA)是以干咳为主的特殊类型哮喘,是常见慢性咳嗽的原因。2004-05—2006-08,我们采用司徒树长柔肝降逆汤[1]加减联合布地奈德粉剂吸入