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利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941 nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3 nm,在400 μs、50 Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9 W,斜率效率高达0.85 W/A(64 %).