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利用自行设计的多热源碳化硅合成炉,研究非封闭及封闭合成炉炉表及其上方各点的温度场分布规律。结果表明：表面负荷为13W/cm^2,非封闭合成SiC,炉表最高温度约为600℃;封闭合成SiC,炉表最高温度为1061℃,距离炉表50cm高的集气罩最高温度为440℃;使用高挥发份或高固定碳含量的碳质原料、或者通过＂引射＂装置可以降低炉内各点及集气罩的温度。