低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs／GaSb超晶格材料表面形貌的影响

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yanfengim

【摘要】

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采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备，在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料

【作者】

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吴雷学汪韬王警卫李晓婷景争尹飞梅书刚

【机构】

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中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,中国科学院研究生院,长安大学理学院

【出处】

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光子学报

【发表日期】

：

2009年8期

【关键词】

：

超晶格金属有机源化学气相沉积界面层表面形貌 Superlattices LP-MOCVD Interfacial layer Surface morpho

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采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备，在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料，在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响，得出生长温度在500 ℃-520 ℃，无过渡层，使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.

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