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<正> 据报导,日本东芝公司采用离子注入技术制成一种超高频硅晶体管。其制造程序和工艺过程如下:1.在电阻率为0.005欧姆·厘米的 N~+硅层上,制作厚度约4微米、电阻率为10欧姆·厘米的 N~-层,作为基片材料。
采用离子注入技术的超高频硅晶体管
【摘 要】
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<正> 据报导,日本东芝公司采用离子注入技术制成一种超高频硅晶体管。其制造程序和工艺过程如下:1.在电阻率为0.005欧姆·厘米的 N~+硅层上,制作厚度约4微米、电阻率为10欧姆
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1971年10期
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