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化学机械抛光（Chemical ＆ Mechanical Polishing,CMP）工艺已运用于微机电系统（Micro-Electro-Mechanical System，MEMS）中，并逐渐成为研制高品质微纳器件不可或缺的一道关键技术。区域压力调整、抛光终点检测等技术已经引入到CMP工艺，确保片内不均匀性（Within-wafer Nonuniformity，WIWNU）小于5%，同时有效减小“蝶形”和“腐蚀”等抛光缺陷。CMP在MEMS领域中的运用工艺过程更为复杂，抛光对象更为多元，表面质量要求更高