【摘 要】
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极限深紫外线光刻制作器件成功据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔｌ１９９６年第６期报道，桑地亚国家实验室的研究人员已用极限深紫外光光刻技术制造出可工作的微电子器件，该器件是一个电气沟道或栅宽低于０．１３μｍ的场效应晶体
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极限深紫外线光刻制作器件成功据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔｌ１９９６年第６期报道，桑地亚国家实验室的研究人员已用极限深紫外光光刻技术制造出可工作的微电子器件，该器件是一个电气沟道或栅宽低于０．１３μｍ的场效应晶体管。据桑地亚先进电子制造技术部负责人Ｒｉｃ...
Extreme Deep UV Lithography Production Device Success According to SemicondIntl1996 No. 6 report, Sandia National Laboratory researchers have used extreme deep ultraviolet lithography to create a working microelectronic device, the device is an electrical Field effect transistors with channel or gate width below 0.13 μm. According to Sandia advanced electronic manufacturing technology department Ric ...
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