掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pipipipi9

【摘要】

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本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅（μc-Si∶H）薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率（Xc）和平均晶粒尺寸（d

【作者】

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刘玉芬郜小勇刘绪伟赵剑涛卢景霄

【机构】

：

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

氢化微晶硅薄膜晶化率平均晶粒尺寸光学带隙 Kronig—Penney模型 μc-Si H films Crystalline volume fract

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本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅（μc-Si∶H）薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率（Xc）和平均晶粒尺寸（d）。结果表明随着磷烷（PH3）浓度的增加,其Xc和d均呈现了先增加后减小的相似趋势;利用测得的透射谱和反射谱,并利用Tauc公式拟合了μc-Si∶H薄膜的光学带隙（Egopt）。研究表明,μc-Si∶H薄膜的Egopt与Xc具有相反的变化趋势。该结果可利用Kronig-Penney模型和表征函数F（x）作出合理解释

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