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本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx，并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb^3＋离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜，研究了银表面等离激元和SiNx：Tb^3＋发光的相互作用。研究发现，银岛膜的存在降低了SiNx：Tb^3＋发光荧光寿命，而且SiNx：Tb^3＋发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小。而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb^3＋的光模密度，并对SiNx：Tb^3＋发光荧光寿命产生影响。