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在文献[6]的基础上,进行了详细的合成条件研究,结果表明,2B4-2000组SrTiO3基中高压电容器瓷料可采用工艺流程较短,能耗较低的一次预烧合成工艺制备.其主要性能指标达到:ε(20℃7≥2000 tgδ 40×10-4 ρv≥1012Ω@cm△ε/ε20°c＜±10% Eb＞9kv/mm
SrTiO3基中高压电容器瓷料的合成条件研究
【摘 要】
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在文献[6]的基础上,进行了详细的合成条件研究,结果表明,2B4-2000组SrTiO3基中高压电容器瓷料可采用工艺流程较短,能耗较低的一次预烧合成工艺制备.其主要性能指标达到:ε(20
【机 构】
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华南理工大学
【出 处】
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中国陶瓷
【发表日期】
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2001年5期
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