【摘 要】
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本文叙述了12GHz低噪声GaAs MESFET的设计和制造.用普通光刻技术制成了高性能GaAs MESFET.在12GHz下测得器件最小噪声系数为1.4dB,相关增益7.5dB.
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本文叙述了12GHz低噪声GaAs MESFET的设计和制造.用普通光刻技术制成了高性能GaAs MESFET.在12GHz下测得器件最小噪声系数为1.4dB,相关增益7.5dB.
This paper describes the design and manufacture of a 12GHz low-noise GaAs MESFET using a conventional lithography technique to produce a high-performance GaAs MESFET with a minimum noise figure of 1.4dB and a relative gain of 7.5dB measured at 12GHz.
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