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以磁控溅射方法于p-Si上淀积富硅二氧化硅，形成富硅二氧化硅／op-Si结构，用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在N2气氛中退火，其光致发光（PL）谱与刻划的经同样条件退火的对比样品的PL谱有很大不 同，未刻划样品的PL谱只有一个几,真一于840nm(1.48eV)，而刻划样品的PL谱是双峰结构，峰位分别位于630nm(1.97eV)和840nm.800度退火的刻划富硅二氧化硅／p-Si样品在背面蒸 制成欧姆接触和正面蒸上半透明金电极后在正向偏压10V下的电致发光（EL）强度约为同样制备的未经刻划样吕在同