【摘 要】
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利用无压烧结技术,制备BN/Si3 N4透波材料；研究了1400℃、1500℃、1600℃和1680℃四个烧结温度对BN/Si3 N4透波材料致密化、弯曲强度、介电性能和显微结构的影响。结果表明：温
【机 构】
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山东大学材料科学与工程学院,齐鲁工业大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（51472146）
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利用无压烧结技术,制备BN/Si3 N4透波材料；研究了1400℃、1500℃、1600℃和1680℃四个烧结温度对BN/Si3 N4透波材料致密化、弯曲强度、介电性能和显微结构的影响。结果表明：温度升高有利于β-Si3 N4晶相的生成,烧结温度为1600℃时,BN/Si3 N4透波材料中针状β-Si3 N4相和h-BN相并存；随着烧结温度的升高,气孔率单调降低,相对密度单调升高；弯曲强度、断裂韧性、介电常数和介电损耗逐渐增大；当烧结温度为1600℃时,相对密度为74.2%,弯曲强度和断裂韧性分别为281
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