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Si3N4覆铜基板的界面空洞控制技术

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kernel_gdi_user

【摘 要】

：

为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si₃N₄覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si₃N₄陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1%。选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作为Si₃N₄覆铜基板的焊料层,其中的活性组分Ti可与Si₃N₄生成界面反应层TiN,该材料是界面空洞控制的关键。在分析界面空洞形成机理的基础上,

【作 者】

：

张义政 张崤君 张金利 吴亚光 刘旭 鲍禹希 张腾 

【机 构】

：

中国电子科技集团公司第十三研究所

【出 处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2021年7期

【关键词】

：

SiC基功率模块 Si_(3)N_(4)覆铜基板 活性金属焊接(AMB)工艺 AG-CU-TI 空洞率 

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为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si₃N₄覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si₃N₄陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1%。选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作为Si₃N₄覆铜基板的焊料层,其中的活性组分Ti可与Si₃N₄生成界面反应层TiN,该材料是界面空洞控制的关键。在分析界面空洞形成机理的基础上,

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