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在F-S薄膜理论的基础上,考虑了晶格散射和杂质散射,通过求解驰豫近似下的Boltzmann方程,计算了P型单晶半导体金刚石膜(矩形)在球形能带下的电导率及考虑金刚石的轻空穴带、重空穴带和分裂带为并联电阻模型时的磁阻.给出了磁阻和金刚石膜厚度、磁场强度、迁移率的关系.研究表明:金刚石的轻空穴带、重空穴带和分裂带对磁阻的影响各不相同.厚膜的磁阻和块材的磁阻相差不大.磁阻和温度、磁场强度、迁移率有密切关系.