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探索了新型难熔栅Ｗ／ＷＮ工艺制备技术，通过ＳＥＭ，ＸＲＤ，ＳＩＭＳ，ＸＰＳ等手段对ＷＮ，ＷＮ／ＧａＡｓ特性作了分析。结果表明，溅射气压和Ｎ分压对Ｗ，ＷＮ薄膜特性有着显著影响，通过工艺条件的优化，制备的Ｗ／ＷＮ膜厚为３６０ｎｍ，方块分压为０．５１Ω。利用ＳｉＯ２作为退火包封层，７８０℃ １０ｓ快速退火后，Ｗ／ＷＮ能够保持好的稳定性，在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ。