【摘 要】
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设计并制备了一种基于热光效应的集成可调谐氮化硅（Si3N4）波导微环谐振腔滤波器,通过采用马赫-曾德干涉仪（MZI）构成的可调谐耦合器控制耦合区耦合比,以实现滤波器消光比的调谐。
【机 构】
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东南大学先进光子学中心,河海大学水利水电学院
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设计并制备了一种基于热光效应的集成可调谐氮化硅（Si3N4）波导微环谐振腔滤波器,通过采用马赫-曾德干涉仪（MZI）构成的可调谐耦合器控制耦合区耦合比,以实现滤波器消光比的调谐。设计并优化了微环谐振腔的波导截面尺寸、弯曲半径和耦合区波导间隔等参数,并通过光刻、反应离子刻蚀（RIE）等工艺制备了两种不同弯曲半径的Si3N4波导微环谐振腔。实验结果表明,本文器件在波长1 550nm附近处的自由光谱范围（FSR）为68pm,3dB带宽约为16pm,品质因子Q达到了9.68×10^4,消光比可调范围约为
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