基于电子束光刻的LIGA技术研究

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangwz2005

【摘要】

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提出了基于电子束的LIGA(Líthographíe,Galvanoformung,Abformung)技术新概念.根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析,并在SDS-2电子束

【作者】

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孔祥东张玉林魏守水

【机构】

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山东大学控制学院

【出处】

：

微细加工技术

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

电子束光刻 LIGA技术刻蚀深度曝光剂量半导体 LIGA electron beams lithography etching depth writing

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提出了基于电子束的LIGA(Líthographíe,Galvanoformung,Abformung)技术新概念.根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析,并在SDS-2电子束曝光机上分别采用5 keV、10 keV、15 keV、20keV、25 keV、30 keV等能量的电子束对国产胶苏州2号进行了曝光实验,得出了能量/刻蚀深度关系曲线.用5 keV、30 keV两种能量的电子束,通过改变曝光时间进行了曝光剂量对刻蚀深度的影响实验,得出了曝光剂量-刻蚀

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