基于非正交波形的超奈奎斯特采样

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针对超奈奎斯特(Faster-than-Nyquist,FTN)系统,提出了基于非正交波形编码的超奈奎斯特采样,并与传统的正交波形FTN和传统的正交Nyquist系统进行了对比分析.在99.99%的功率带宽和5次迭代检测译码的条件下,仿真结果表明:相比于升余弦的正交波形FTN系统,基于高斯和扩展高斯(Extended Gaussian Functions,EGF)脉冲成形的非正交波形FTN系统可以获得4.4 dB的成形增益,同时由于良好的时频聚焦特性,其均衡复杂度只是升余弦的1/16.
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为提高水印方案的抗攻击能力和自适应性,提出一种盲水印的GoogLeNet-GMP神经网络方案。首先,所提网络较为简约,最深的路径(即通过预处理网络、嵌入网络和提取网络的路径)仅包含17层。通过在水印预处理网络中提高水印分辨率来保持宿主图像的分辨率,由此增强了水印的透明性。同时,在水印预处理网络中使用平均池化,将水印数据的二进制值与宿主图像结合在一起,从而增强了水印的透明性。最后,提取器使用交叉熵作
将5G移动通信技术应用于海面覆盖,不仅仅要解决建站困难的问题,还要解决海面超远覆盖下的参数配置及覆盖距离估算.首先对海面超远覆盖进行信道建模,考虑空气介电常数变化对无线电波传播的影响,给出了等效的地球模型;其次,对5G中影响小区覆盖半径的几个关键参数进行了详细分析;最后,分别对三大运营商的主流频段进行仿真,给出了不同频段下最大覆盖距离与路径损耗的关系曲线.
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SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍,存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一.提出了两种SRAM读出电路的加固结构,分别从读出电路结构、数据读出速度和抗单粒子翻转能力等方面进行了对比.两种读出结构的SRAM均有较好的抗单粒子能力,但相比较单模双互锁结构的SRAM,双模双互锁读出结构的SRAM读出时间更短.
介绍了3GPP R16标准中提出的非公共网络技术(Non-Public Network,NPN)的两种组网方式和应用现状,分析了企业对5G专网的需求以及公专融合的趋势.结合NPN与公共陆地移动网(Public Land Mobile Network,PLMN)部署的关系,提出了两种典型的5G公网和专网融合部署模式:连续模式、重叠模式.并针对两种模式下需要重点解决的业务连续性和并发连接问题,介绍了3GPP R17标准中提出的两种技术方案.
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