B2O3对BMT微波陶瓷结构及介电性能的影响

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lengyubo88
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研究了ω(B2O2)=0.5%~3.0%(质量分数)对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)微波介质陶瓷结构和微波特性的影响。实验结果表明,B20。掺杂可促进烧结,当ω(B2O3)-1%时,BMT陶瓷致密化烧结温度降至1200。C左右,其表观密度ρ=7.306g/cm2,相对密度达到95.7%,同时,陶瓷体系获得了良好的介电常数εr=22.08,品质因数Q·f=88000GHz(10GHz),频率温度系数τf=3.3×10^-6/℃。
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