【摘 要】
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采用溶胶凝胶法制备了LaMnOx(LMO)薄膜,系统研究了不同烧结温度、纵向直流磁场后退火和生长膜层数对LMO薄膜的巨磁阻抗效应的影响.结果表明,烧结温度、膜的层数以及纵向磁场
【机 构】
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北京航空航天大学,仪器科学与光电工程学院,功能材料与器件研究室,北京,100191;北京航空航天大学,中英空间科学技术联合实验室,北京,100191
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采用溶胶凝胶法制备了LaMnOx(LMO)薄膜,系统研究了不同烧结温度、纵向直流磁场后退火和生长膜层数对LMO薄膜的巨磁阻抗效应的影响.结果表明,烧结温度、膜的层数以及纵向磁场后退火处理均有效提高了LMO的巨磁阻抗比,其中纵向直流磁场后退火处理提高薄膜阻抗比效果最显著,经过10 Oe、400℃恒温1 h磁场后退火处理后,在频率5 MHz、100 Oe外磁场下其磁阻抗比达15.8%,相比未后处理样品磁阻抗比提高了一倍,其对应的磁场灵敏度为0.16%/Oe.同时,实验发现磁场后退火不仅影响薄膜的巨磁阻抗比,也会改变阻抗比极大值瑚对应的激励频率,这一现象目前仍在探究中.
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