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对AlGaN肖特基紫外探测器件用不同剂量的γ射线进行辐照，测量了器件辐照前后的电流-电压特性、电容-频率曲线和响应光谱曲线的变化。实验发现γ辐照对器件的暗电流没有产生大的影响，但大剂量的辐照有使肖特基势垒高度降低的趋势。同时辐照还引起了器件的电容的频率特性的增强，并且降低了器件的响应率。这些现象可能是γ辐照在AlGaN材料中诱生了新的缺陷能级造成的。