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多孔硅光致发光谱的多峰结构
多孔硅光致发光谱的多峰结构
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:LIC3352
【摘 要】
:
基于多孔光致发光的量子限制效应模型,研究了多孔硅发光性质随温度的变化关系.结果表明:多孔硅光致发光谱呈多峰结构,这些分立的发光峰是由多孔硅的本征因素引起的.
【作 者】
:
史向华
刘小兵
【机 构】
:
长沙电力学院物理与信息工程系
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
2002年1期
【关键词】
:
多孔硅
光致发光
多峰结构
porous silicon photoluminescence multipeak structure
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基于多孔光致发光的量子限制效应模型,研究了多孔硅发光性质随温度的变化关系.结果表明:多孔硅光致发光谱呈多峰结构,这些分立的发光峰是由多孔硅的本征因素引起的.
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