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研究了不同环境温度下晶体LaOF和非晶体SiO2纳米体系中掺杂Tm^3＋离子的荧光光谱。结果表明,在20-300 K的温度范围内,荧光谱线的宽度、强度以及谱线位置均随温度的升高而变化。发光离子的局域环境直接影响荧光光谱对环境温度的依赖程度：SiO2中发光离子的荧光寿命受温度影响较小,而位于晶相环境LaOF中离子的荧光寿命则显示较强的温度依赖特性,在脉冲激光激发条件下,研究了3H4能级荧光寿命随温度变化的规律。