用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Ivy1234

【摘要】

：

研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明，通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功函数.通过注入p型或n型杂质，如BF2，As或P，能够将

【作者】

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周华杰徐秋霞

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年10期

【关键词】

：

金属栅全硅化硅化物 metal gate FUSI silicide

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划（批准号：2006CB302704）和国家自然科学基金（批准号：60576032）资助项目,Acknowledgments The author would like to thank people of the Silicon Technology Center for fabrication support, and other people of the Silico

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研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明，通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功函数.通过注入p型或n型杂质，如BF2，As或P，能够将Ni全硅化物金属栅的功函数调高或调低，以分别满足pMOS管和nMOS管的要求.但是注入大剂量的As杂质会导致分层现象和EOT变大，因此As不适合用来调节Ni全硅化物金属栅的栅功函数.由于FUSI工艺会导致全硅化金属栅电容EOT减小，全硅化金属栅电容的栅极泄漏电流大于多晶硅栅电容.

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