薄膜全耗尽SOI MOSFET单晶体管Latch效应

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本文在详细分析各种不同条件下全耗尽MOSFET单晶体管Latch效应测试结果的基础上,较为详细地讨论了单晶体管Latch效应的物理机理,发现单管Latch效应与MOSFET的寄生双极晶体管有着极其密切的关系,最后还给出了相应的改进措施。 Based on the detailed analysis of the Latch effect test results of MOSFETs under various conditions, the Latch effect of single transistors is discussed in detail in detail. The single-transistor Latch effect is extremely different from the parasitic bipolar transistors of MOSFETs Close relationship, finally gave the corresponding improvement measures.
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