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考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应，建立起少数载流子室温和低温模型，并进行了定量的计算。研究发现，ｐ－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ中的少子浓度随ｘ的增加而增加。在重掺杂条件下，常温时，少子浓度随杂质浓度的上升而下降；而低温时，少子浓度却随杂质沈度的上升而上升。
重掺杂P型Si—xGex层中少数载流子浓度的低温特性
【摘 要】
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考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应，建立起少数载流子室温和低温模型，并进行了定量的计算。研究发现，ｐ－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ中的少子浓度随ｘ的增加而增加。在重掺杂条件下，常温时，少子浓度随杂质浓度的上升
【机 构】
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北京工业大学电子工程系
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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北京市自然科学基金! (4982 0 0 4 ),,北京市科技新星计划基金 !(952 871 90 0 ),,电子元器件可靠性国家实验室资助课题 !(990 30 4 0 1 )
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