【摘 要】
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Tokyo Electron Ltd.(东京都港区,社长东哲郎)宣布开始销售与200 mm/300 mm晶片相对应的能进行游离基氧氮化的等离子体处理设备[Trias SPA]。 由于65 nm以下的先进逻辑DRAM
【机 构】
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3-6 Akasaka 5-chome Minato-ku,Tokyo 107,Japan
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Tokyo Electron Ltd.(东京都港区,社长东哲郎)宣布开始销售与200 mm/300 mm晶片相对应的能进行游离基氧氮化的等离子体处理设备[Trias SPA]。 由于65 nm以下的先进逻辑DRAM原器件的栅电极(Gate Oxide)使用金属,使半导体制造工艺中的热处理温度必须转向低温化。加之,伴随着半导体
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