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采用真空蒸发镀膜工艺制备了ITO透明导电薄膜，以四探针表面电阻仪测量得薄膜方块电阻为400Ω，用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率为80％，利用扫描电镜测得膜厚为103nm．用XRD分析了薄膜的物相，并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌及粗糙度．对薄膜进行退火处理，结果表明，随着热处理温度的升高，晶化趋于完整，组织结构逐渐均匀致密，晶粒有所长大．随退火时间的增加，透光率增加，但方块电阻先减小后增加．