Φ100mm重掺砷〈111〉硅单晶的制备

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通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验,研究了重掺砷<111>硅单晶的位制工艺,制备出无位错的Φ100mm单晶,成品率达33.85%。还探讨了简便、高效的砷毒防护方法。 Through the experiments of thermal field, crystal pulling parameters and resistivity control experiments, the fabrication process of the arsenic <111> silicon single crystal with arsenic is studied, and the dislocation-free Φ100mm single crystal is prepared with the yield of 33.85%. Also discusses the simple, efficient arsenic poison protection methods.
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