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硫化镉（CdS）是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材料,从而实现对CdS材料电学特性调控。
镉气氛退火对CdS单晶材料性能的影响
【摘 要】
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硫化镉（CdS）是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2016年2期
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