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在粒子模拟仿真中,模型为完纯导体(PEC)基底加金光栅的结构,观察到了局域表面等离子体激元对Smith-Purcell辐射的明显增强效果。在30 keV电子能量激励下,150 nm光栅结构中,观察到在最强增强频率下功率为PEC光栅结构辐射功率的200倍以上,且该辐射具有多个较强的增强频点。因为当单电子平行掠过光栅表面时,局域表面等离子激元被激发,而激发的局域表面等离子体激元具有多个频点。该研究对高功率、小型化、紧凑可调的辐射源的研究开发具有重要意义。