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提出了一种改进的4H．SiCMESFET非线性直流解析模型，基于栅下电荷的二维分布，对该模型进行了分析，采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上，考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响，建立了基于物理的沟道长度调制效应模型，模拟结果符合高场下漏极的MC（蒙特卡罗）计算的结果。与以前的研究模型相比较，结果说明了该研究的有效性，饱和电流的结果与实测的Ⅰ-Ⅴ特性更加吻合。