【摘 要】
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采用射频溅射法在SnO2衬底上生长了NiOx薄膜,制备的薄膜是非理想化学计量的微晶薄膜。研究了氧分压对NiOx薄膜的溅射速率、表面形貌和光学电学特性的影响。研究结果显示,O2分
【机 构】
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兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（60576013,60536010）
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采用射频溅射法在SnO2衬底上生长了NiOx薄膜,制备的薄膜是非理想化学计量的微晶薄膜。研究了氧分压对NiOx薄膜的溅射速率、表面形貌和光学电学特性的影响。研究结果显示,O2分压在1：10时,可得到最快的沉积速率;低的氧分压沉积的薄膜表面比较疏松;随着氧含量的增加,方块电阻呈上升趋势,当氧分压达到一定值时,膜电阻又开始下降;随着氧分压的升高,颜色会逐渐加深,透射率降低。
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