正性光刻胶使用的一种新方法──低温显影技术

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenliu2009
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本文论述了不使用粘附剂进行光刻某些材料的新方法——正胶低温显影技术.应用低温显影技术可以相对地增加正胶的粘附性,并刻出了1-2μm的SiO_2、Si_3N_4细线条.文内还给出了一些材料的光刻条件及结果. This paper discusses a new method of photolithography without using an adhesive agent - the development of low-temperature positive-phase technology.Using low-temperature development technology can be relatively increased positive adhesion, and engraved 1-2μm SiO_2, Si_3N_4 thin lines.This paper also gives the lithography conditions and results of some materials.
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