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在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55℃125℃,该基准源的温度系数为2.67×10-5/℃,电源抑制比为-45.42dB@100Hz,功耗为105.96nW。