【摘 要】
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日本东芝(Toshiba)日前表示,计划在2007年开始采用55纳米工艺生产NAND闪存。该公司表示,预期NAND闪存市场年增长30%,2007年销售额将从2003年的35亿美元左右增长至110亿美元
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日本东芝(Toshiba)日前表示,计划在2007年开始采用55纳米工艺生产NAND闪存。该公司表示,预期NAND闪存市场年增长30%,2007年销售额将从2003年的35亿美元左右增长至110亿美元。到2004年第三季度,东芝计划推出一款16GbNAND闪存,在一个封装中容纳四个4Gb裸片。
Japan’s Toshiba said recently that it plans to begin production of NAND flash memory in 2007 using a 55-nm process. The company said it expects the NAND flash memory market to grow 30% annually, with sales in 2007 rising from about 3.5 billion U.S. dollars in 2003 to 11 billion U.S. dollars. By the third quarter of 2004, Toshiba plans to introduce a 16GbNAND flash memory that holds four 4Gb die in a single package.
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