【摘 要】
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采用射频磁控溅射镀膜技术在P型Si（100）基片上沉积Ni-Mn-Ga薄膜。实验结果表明,射频溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌有显著地影响。Ni含量随溅射功率的升高呈先增加后减少的
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采用射频磁控溅射镀膜技术在P型Si（100）基片上沉积Ni-Mn-Ga薄膜。实验结果表明,射频溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌有显著地影响。Ni含量随溅射功率的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势。薄膜的价电子浓度（e/a）变化较小。参考英国国家物理实验室数据中有关Ar气对不同元素溅射产额数据,对薄膜成分偏离进行理论分析。
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