【摘 要】
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法国圣母大学的一个研究小组称,自对准InAlP热氧化物可避免亚微米长栅电极GaAs MOSFET中所见的泄漏问题。采用这种方法,P.Fay及其同事制作了一个GaAs沟道MOSFET,并测得其截止
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法国圣母大学的一个研究小组称,自对准InAlP热氧化物可避免亚微米长栅电极GaAs MOSFET中所见的泄漏问题。采用这种方法,P.Fay及其同事制作了一个GaAs沟道MOSFET,并测得其截止频率ft为31GHz,比其先前的提高了11%。此外,现在这种器件的制作简单易做,且适合批量生产。P.Fay研究小
A research group at the University of Notre Dame said self-aligned InAlP thermal oxide avoids leakage problems seen in sub-micron long-gate GaAs MOSFETs. Using this method, P.Fay and colleagues created a GaAs channel MOSFET and measured a cutoff frequency ft of 31GHz, 11% more than its predecessor. In addition, this device is now easy to make, and is suitable for mass production. P.Fay research is small
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