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为了实现碳化硅表面硅改性层的精密抛光，获得高质量光学表面，对磁介质辅助抛光技术进行研究。设计了适合碳化硅表面硅改性层抛光的磁介质辅助抛光工具，并对抛光工具的材料去除函数进行研究。针对材料去除函数的特性，对数控磁介质辅助抛光的驻留时间算法进行了研究。采用磁介质辅助抛光技术对碳化硅表面硅改性层平面样片进行了抛光实验。经过一次抛光迭代，碳化硅样片表面硅改性层的面形精度（均方根）由0．049λ收敛到0．015λ（λ=0．6328μm），表面粗糙度从2nm改善至0．64nm。实验结果表明基于矩阵代数的驻留时间算法有