【摘 要】
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据《电子与封装》2002年Vol.41,No.8上面报道,东芝公司现已成功地开发出一种在SOI(Siliconon Insulacor)圆片上制作DRAM单元及其与逻辑电路混装的技术。该技术与世界上最早
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据《电子与封装》2002年Vol.41,No.8上面报道,东芝公司现已成功地开发出一种在SOI(Siliconon Insulacor)圆片上制作DRAM单元及其与逻辑电路混装的技术。该技术与世界上最早的在原来圆片上制作场合具有同样的性能。
According to Electronics and Packaging, Vol.41, No.8, 2002, Toshiba Corporation has successfully developed a DRAM cell fabricated on a SOI (Siliconon Insulacor) wafer and hybrid technology with logic. The technology has the same performance as the earliest production on the original wafer.
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