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<正> 目前,ULSI 器件的设计规则接近70nm,并且需要高精密 CD 的控制,由于 F_2/157nm 曝光工具和光刻胶材料的开发滞后,ArF 光刻微影技术被认为是最有希望用于70nm 器件的技术。在此100nm 以下
应用于70nm及其以下的光刻技术的光刻胶制程控制
【摘 要】
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<正> 目前,ULSI 器件的设计规则接近70nm,并且需要高精密 CD 的控制,由于 F_2/157nm 曝光工具和光刻胶材料的开发滞后,ArF 光刻微影技术被认为是最有希望用于70nm 器件的技术
【机 构】
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东京电子株式会社
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2003年50期
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