【摘 要】
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在ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ中共注稀土铒和氧。３００℃和４００℃热退火后，测得了来自发光中心Ｅｒ３＋内层４ｆ电子跃迁的１．５４μｍ光致发光。４００℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加，发光强度逐渐减弱，这可能是由于碳的引入减弱了间
【机 构】
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南开大学光电子所,中国科学院半导体研究所材料科学实验室
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在ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ中共注稀土铒和氧。３００℃和４００℃热退火后，测得了来自发光中心Ｅｒ３＋内层４ｆ电子跃迁的１．５４μｍ光致发光。４００℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加，发光强度逐渐减弱，这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。
In a-Si: H and a-SiCx: H, a total of rare earth erbium and oxygen injection. After thermal annealing at 300 ℃ and 400 ℃, the photoluminescence of 1.54μm from the 4f electron transition of Er3 + in the luminescent center was measured. 400 ° C is a better annealing temperature. With the increase of carbon content, the luminous intensity gradually decreased, which may be due to the introduction of carbon to weaken the gap oxygen annealing migration.
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