【摘 要】
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利用半导体标准工艺,在8英寸工艺平台上,通过光刻和剥离工艺制备出不同线条宽度的坡莫合金材料Ta(5 nm)/NiFe(12 nm)/Ta(2 nm),然后再进行表面钝化、电极引出和TO-94封装以后进行测试.测试结果表明:在常温条件下,不同薄膜线宽对材料AMR值影响不大,而对薄膜材料的饱和磁感应强度影响巨大.当线宽从18μm增大到30μm时,薄膜材料的AMR测试曲线在1.2％处的宽度ΔH从6,565.408 A/m减小到2,025.024 A/m.
【机 构】
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贵州雅光电子科技股份有限公司,贵州贵阳 550025
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利用半导体标准工艺,在8英寸工艺平台上,通过光刻和剥离工艺制备出不同线条宽度的坡莫合金材料Ta(5 nm)/NiFe(12 nm)/Ta(2 nm),然后再进行表面钝化、电极引出和TO-94封装以后进行测试.测试结果表明:在常温条件下,不同薄膜线宽对材料AMR值影响不大,而对薄膜材料的饱和磁感应强度影响巨大.当线宽从18μm增大到30μm时,薄膜材料的AMR测试曲线在1.2％处的宽度ΔH从6,565.408 A/m减小到2,025.024 A/m.
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