飞利浦推出新一代LDMOS RF功率管

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飞利浦公司宣布在横向扩散MOS(LDMOS)技术上取得突破,打破宽带CDMA(W—CDMA)基站的效率壁垒,允许w—CDMA基站制造商把RF功率放大器输出级的效率提高到30%。新一代LDMOS技术的RF功率晶体管特性尺寸为0.4μm和四层金属化,组合成高工作效率、高增益和良好的线性。该技术能覆盖800MHz到2.2GHz的频率范围。除了在 Philips announced a breakthrough in laterally diffused MOS (LDMOS) technology to break the efficiency barrier of wideband CDMA (W-CDMA) base stations and allow w-CDMA base station manufacturers to increase the efficiency of RF power amplifier output stages to 30%. The new generation of LDMOS technology RF power transistor features size of 0.4μm and four metallization, which combines high efficiency, high gain and good linearity. The technology can cover the 800MHz to 2.2GHz frequency range. Except in
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